TY  - JOUR
TI  - 轧制钽靶材与粉末冶金钽靶材晶粒晶向对比
AU  - 周友平
AU  - 姚力军
AU  - 廖培君
AU  - 吴东青
AU  - 陈石
JO  - 冶金与材料
PY  - 2024
IS  - 3
SP  - 51
EP  - 53
SN  - 2096-4854
AB  - 钽靶材被广泛地作为集成电路铜互连工艺扩散阻挡层的溅射源，是芯片制造中的关键耗材，钽靶材的性能直接影响薄膜质量。目前钽靶材主要有铸锭轧制和粉末冶金烧结两种制备方法，两种工艺路线所得靶材差异明显。根据溅射靶材一般性能要求，文章研究对比了轧制钽靶材与粉末冶金钽靶材坯料的断面晶向和晶粒。结果显示，粉末冶金钽靶材晶向更均匀，晶粒更细小，这种表现更有利于钽靶材的溅射性能，也更有利于溅射薄膜的均匀性。在未来先进制程集成电路的制备工艺中，粉末冶金钽靶材可能会得到重要应用。
KW  - 钽靶材
KW  - 轧制
KW  - 粉末冶金
KW  - 晶向
KW  - 先进制程
UR  - https://journal.zazhitong.com/yjycl/articles/2108474153767927810
ER  -