TY  - JOUR
TI  - 非极性a面GaN材料外延的成核过程及选区生长分析
AU  - 杨琳
JO  - 冶金与材料
PY  - 2021
IS  - 3
SP  - 49
EP  - 50
SN  - 2096-4854
AB  - 为解决以往侧向外延生长、侧壁横向外延生长等方法存在的缺陷问题,文章借鉴前人研究成果提出一种选用钛图形化r面蓝宝石衬底直接外延GaN的生长方法,先在衬底表面制备一层钛掩膜,再在孔洞内选择性外延GaN,由此改善GaN表面与晶体的质量,降低各向异性,并且成功制备出高质量、平整的a面GaN薄膜。通过观察SEM、RSMs与Raman测试结果可知,该方法能够有效减小合并厚度、降低工艺成本,具备良好适用价值。
KW  - 非极性GaN
KW  - r面蓝宝石
KW  - 成核过程
KW  - 各向异性
UR  - https://journal.zazhitong.com/yjycl/articles/2108474136302845954
ER  -