TY  - JOUR
TI  - In掺杂浓度对ZnO薄膜结构、光学及电学特性的影响
AU  - 王冬
JO  - 冶金与材料
PY  - 2019
IS  - 1
SP  - 55
EP  - 55
SN  - 2096-4854
AB  - 借助射频磁控溅射法在石英衬底上制备了In掺杂ZnO薄膜(ZnO:In),研究了In掺杂浓度对薄膜结构、光学及电学性能的影响。结果表明:所有ZnO薄膜均为六方纤锌矿结构,都有较高的光学透过率(高于85%);In掺杂会降低薄膜生长率和结晶质量;随着In掺杂浓度的上升,ZnO薄膜的载流子浓度不断提高,禁带宽度不断增加。
KW  - ZnO:In薄膜
KW  - In含量
KW  - 结晶质量
KW  - BM效应
UR  - https://journal.zazhitong.com/yjycl/articles/2108474118456082433
ER  -